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村田芯片
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RDE5C1H102J0K1H03B
產(chǎn)品參考圖片
RDE5C1H102J0K1H03B
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
陶瓷電容器,徑向
技術(shù)參數(shù):
CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號: RDE5C1H102J0K1H03B
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
功能總體簡述: CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL
系列: RDE
電容: 1000pF
容差: ±5%
電壓 - 額定: 50V
溫度系數(shù): C0G,NP0
安裝類型: 通孔
工作溫度: -55°C ~ 125°C
應(yīng)用: 通用
等級: -
封裝/外殼: 徑向
大小/尺寸: 0.157" 長 x 0.098" 寬(4.00mm x 2.50mm)
高度 - 安裝(最大值): 0.236"(6.00mm)
厚度(最大值): -
引線間距: 0.197"(5.00mm)
特性: -
引線形式: 成型引線
現(xiàn)在可以訂購
RDE5C1H102J0K1H03B
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
DE6E3KJ152MN3A
NFM18PC225B0J3D
GCJ188R72A223KA01D
GCM1885C2A4R8CA16D
GRM3195C1H223JA01D
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GRM1555C1E8R8DZ01D
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LQW21HNR56J00L
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