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村田芯片
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NFM18HC105C1C3D
產(chǎn)品參考圖片
NFM18HC105C1C3D
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
饋通式電容器,封裝:0603(1608 公制),3 PC 板
技術(shù)參數(shù):
CER CAP AEC-Q200
(專注銷售電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
點擊下圖下載技術(shù)文檔
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NFM18HC105C1C3D
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
描述:CER CAP AEC-Q200
產(chǎn)品系列:饋通式電容器
包裝:卷帶(TR)
系列:EMIFIL?, NFM18
零件狀態(tài):有源
電容:1μF
容差:±20%
電壓-額定:16V
電流:2A
DC電阻?(DCR)(最大值):20 毫歐
工作溫度:-55°C ~ 125°C
插損:-
溫度系數(shù):-
等級:AEC-Q200
安裝類型:表面貼裝型
封裝:0603(1608 公制),3 PC 板
大小/尺寸:0.063 長 x 0.031 寬(1.60mm x 0.80mm)
高度(最大值):0.028(0.70mm)
現(xiàn)在可以訂購
NFM18HC105C1C3D
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
GRM155R71H392KA01J
LQW15AN16NG0ZD
GRM21A7U2E561JW31D
GCM188R71C334KA37D
GRM0225C1E2R8BDAEL
GRM1556S1H120GZ01D
WSN802GC-E
GRM033F51A472ZD01D
LQP03TN1N9C02D
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