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村田芯片
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GRM1886T1H8R3DD01D
產(chǎn)品參考圖片
GRM1886T1H8R3DD01D
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
陶瓷電容器,0603(1608 公制)
技術(shù)參數(shù):
CAP CER 8.3PF 50V T2H 0603
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號: GRM1886T1H8R3DD01D
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
功能總體簡述: CAP CER 8.3PF 50V T2H 0603
系列: GRM
電容: 8.3pF
容差: ±0.5pF
電壓 - 額定: 50V
溫度系數(shù): T2H
安裝類型: 表面貼裝,MLCC
工作溫度: -55°C ~ 125°C
應(yīng)用: 通用
等級: -
封裝/外殼: 0603(1608 公制)
大小/尺寸: 0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
高度 - 安裝(最大值): -
厚度(最大值): 0.035"(0.90mm)
引線間距: -
特性: -
引線形式: -
現(xiàn)在可以訂購
GRM1886T1H8R3DD01D
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NCS12S4803C
GRM1886S2A3R0CZ01D
LFD21868MMF1D386
NCP18XH103D03RB
RDE5C1H121J0S1H03A
CSTCE16M6V53-R0
LQH44NN1R0M03L
GRM0335C1H1R8BA01D
MEF1S1203SP3C
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