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村田芯片
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1226AS-H-3R3M=P2
產品參考圖片
1226AS-H-3R3M=P2
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
固定電感器,封裝:非標準
技術參數(shù):
FIXED IND 3.3UH 1.9A 68 MOHM SMD
(專注銷售電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨。
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
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技術參數(shù)詳情:
制造商產品型號:1226AS-H-3R3M=P2
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
描述:FIXED IND 3.3UH 1.9A 68 MOHM SMD
產品系列:固定電感器
包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
系列:-
零件狀態(tài):有源
類型:繞線
材料-磁芯:鐵氧體
電感:3.3μH
容差:±20%
額定電流(安培):1.9A
電流-飽和(Isat):1.1A
屏蔽:屏蔽
DC電阻(DCR):68 毫歐最大
不同頻率時Q值:-
頻率-自諧振:-
等級:-
工作溫度:-40°C ~ 85°C
電感頻率-測試:100kHz
特性:-
安裝類型:表面貼裝型
封裝:非標準
供應商器件封裝:-
大小/尺寸:0.126 長 x 0.118 寬(3.20mm x 3.00mm)
現(xiàn)在可以訂購
1226AS-H-3R3M=P2
,國內庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內發(fā)貨。
DSS1ZB32A330Q91A
GRM1555C2A3R4CA01J
BLM15EG121SZ1D
RPE5C1H121J2K1A03B
RPE5C1H121J2S1A03A
GRM0335C1H5R6BA01J
GJM1555C1H8R3DB01D
MBH10145C-221MA=P3
LQH43NZ330K03L
我司在以下
電子元器件品牌
具有相當?shù)默F(xiàn)貨優(yōu)勢
Active-semi
Silicon Labs
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Silicon Image
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